RU6035M3 Todos los transistores

 

RU6035M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU6035M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3030
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU6035M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:631K  ruichips
 ru6035m3.pdf pdf_icon

RU6035M3

RU6035M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/35A,RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=10V GSSRDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=4.5VSD Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM)DD Reliable and RuggedDD 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030D Appli

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