RU6035M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6035M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Encapsulados: DFN3030
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RU6035M3 datasheet
ru6035m3.pdf
RU6035M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/35A, RDS (ON) =18m (Typ.)@VGS=10V G S S RDS (ON) =20m (Typ.)@VGS=4.5V S D Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) D D Reliable and Rugged D D 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DFN3030 D Appli
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History: 2N7002HT
History: 2N7002HT
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