RU6035M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6035M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3030
Búsqueda de reemplazo de RU6035M3 MOSFET
RU6035M3 Datasheet (PDF)
ru6035m3.pdf

RU6035M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/35A,RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=10V GSSRDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=4.5VSD Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM)DD Reliable and RuggedDD 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030D Appli
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History: JFPC10N65D | SRC60R064S | SCT20N120 | AUIRF7341Q | PJF4NA65A | STP6NK60Z | NCEP050N10M
History: JFPC10N65D | SRC60R064S | SCT20N120 | AUIRF7341Q | PJF4NA65A | STP6NK60Z | NCEP050N10M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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