Справочник MOSFET. RU6035M3

 

RU6035M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6035M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DFN3030
 

 Аналог (замена) для RU6035M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6035M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:631K  ruichips
 ru6035m3.pdf pdf_icon

RU6035M3

RU6035M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/35A,RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=10V GSSRDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=4.5VSD Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM)DD Reliable and RuggedDD 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030D Appli

Другие MOSFET... RU40120L , RU40180R , RU4030M3 , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , IRF9640 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , RU82100R , RU9N65P , RUH008N15M-C , RUH120N140R , RUH120N140S .

History: SSF65R190S2R | HSD6004 | HSL0107 | WMM80R350S | ED7509 | SSF65R080SFD3 | STB40N20

 

 
Back to Top

 


 
.