RU6035M3 - описание и поиск аналогов

 

RU6035M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6035M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: DFN3030

Аналог (замена) для RU6035M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6035M3 даташит

 ..1. Size:631K  ruichips
 ru6035m3.pdf pdf_icon

RU6035M3

RU6035M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/35A, RDS (ON) =18m (Typ.)@VGS=10V G S S RDS (ON) =20m (Typ.)@VGS=4.5V S D Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM) D D Reliable and Rugged D D 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DFN3030 D Appli

Другие MOSFET... RU40120L , RU40180R , RU4030M3 , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , K2611 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , RU82100R , RU9N65P , RUH008N15M-C , RUH120N140R , RUH120N140S .

History: IRFU3704

 

 

 

 

↑ Back to Top
.