Справочник MOSFET. RU6035M3

 

RU6035M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6035M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DFN3030
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6035M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:631K  ruichips
 ru6035m3.pdf pdf_icon

RU6035M3

RU6035M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/35A,RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=10V GSSRDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=4.5VSD Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Excellent QgxRDS(on) product(FOM)DD Reliable and RuggedDD 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DFN3030D Appli

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.