RU65110R Todos los transistores

 

RU65110R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU65110R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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RU65110R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  ruichips
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RU65110R

RU65110RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 65V/110A, RDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedF t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G

 9.1. Size:304K  ruichips
 ru65120r.pdf pdf_icon

RU65110R

RU65120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/120A,RDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter

Otros transistores... RU4030M3 , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , MMD60R360PRH , RU7N65L , RU82100R , RU9N65P , RUH008N15M-C , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L .

History: HSBA8024A | SMMBFJ310LT3G | NCE3401 | NCEP035N60AG | WPM2019 | JFFM13N50E | WNMD2154

 

 
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