RU65110R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU65110R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: TO220
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RU65110R datasheet
ru65110r.pdf
RU65110R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 65V/110A, RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated F t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G
ru65120r.pdf
RU65120R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/120A, RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter
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