RU65110R - описание и поиск аналогов

 

RU65110R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU65110R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для RU65110R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU65110R даташит

 ..1. Size:367K  ruichips
 ru65110r.pdf pdf_icon

RU65110R

RU65110R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 65V/110A, RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated F t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G

 9.1. Size:304K  ruichips
 ru65120r.pdf pdf_icon

RU65110R

RU65120R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/120A, RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter

Другие MOSFET... RU4030M3 , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU7088R , RU7N65L , RU82100R , RU9N65P , RUH008N15M-C , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L .

History: BRFL13N50 | BRFL4N65S | FQP50N06 | IRFU3607PBF | SML30L76

 

 

 

 

↑ Back to Top
.