RU82100R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU82100R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de RU82100R MOSFET
RU82100R Datasheet (PDF)
ru82100r.pdf

RU82100RN-Channel Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description 82V/100A,RDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Ava
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History: NCE65N680K | NCE65TF180 | ZVP4525Z | HYG042N10NS1B | 2N6661M1A | HSP18N20 | IRF50N06
History: NCE65N680K | NCE65TF180 | ZVP4525Z | HYG042N10NS1B | 2N6661M1A | HSP18N20 | IRF50N06



Liste
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