RU82100R Todos los transistores

 

RU82100R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU82100R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 82 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO220

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RU82100R datasheet

 ..1. Size:483K  ruichips
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RU82100R

RU82100R N-Channel Advanced Power MOSFET F t Pi D i ti Features Pin Description 82V/100A, RDS (ON) =7.5m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Ava

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