RU82100R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU82100R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 82 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: TO220
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RU82100R datasheet
ru82100r.pdf
RU82100R N-Channel Advanced Power MOSFET F t Pi D i ti Features Pin Description 82V/100A, RDS (ON) =7.5m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Ava
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