RU82100R Todos los transistores

 

RU82100R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU82100R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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RU82100R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  ruichips
 ru82100r.pdf pdf_icon

RU82100R

RU82100RN-Channel Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description 82V/100A,RDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Ava

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History: BSC0906NS | STT04N20 | BSC0921NDI | SM6032NSG | TMA2N60H | WNM2016-3 | 2SK2793

 

 
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