Справочник MOSFET. RU82100R

 

RU82100R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU82100R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для RU82100R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU82100R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  ruichips
 ru82100r.pdf pdf_icon

RU82100R

RU82100RN-Channel Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description 82V/100A,RDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Ava

Другие MOSFET... RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , HY1906P , RU9N65P , RUH008N15M-C , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L , RUH120N35M3 , RUH120N70R .

History: SWD7N65DA | CEDM7002AE | FKBA4903 | STP265N6F6AG | SSI65R190S2 | STP3467 | HPM3415

 

 
Back to Top

 


 
.