RU82100R - аналоги и даташиты транзистора

 

RU82100R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU82100R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для RU82100R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU82100R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  ruichips
 ru82100r.pdf pdf_icon

RU82100R

RU82100RN-Channel Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description 82V/100A,RDS (ON) =7.5m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Ava

Другие MOSFET... RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , AO4468 , RU9N65P , RUH008N15M-C , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L , RUH120N35M3 , RUH120N70R .

History: MTE65N20H8 | BSP030 | SWU12N70D | AP3310GH | SWD7N65DA | ITP09N50A | STB100N6F7

 

 
Back to Top

 


 
.