RU9N65P Todos los transistores

 

RU9N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU9N65P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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RU9N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  ruichips
 ru9n65p.pdf pdf_icon

RU9N65P

RU9N65PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/9A, RDS (ON) =750m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FDDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion in

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History: 2N7002ZDW | IPP147N12N3 | IRFZ48NSPBF | AUIRF2804S-7P | JFPC11N50C | IPP80N06S2L-09 | IRFB7430PBF

 

 
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