RU9N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU9N65P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU9N65P
RU9N65P Datasheet (PDF)
ru9n65p.pdf
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RU9N65PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/9A, RDS (ON) =750m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FDDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion in
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Liste
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MOSFET: MPVD5N50CCFD | MPVU5N50CCFD | MPVA7N65F | MPVD4N70F | MPVU4N70F | MPVA4N70F | MPVD4N65F | MPVU4N65F | MPVA4N65F | MPVD2N65BK | MPVU2N65BK | MPVA2N65BK | MPVP20N65F | MPVA20N65F | MPVA20N50F | MPVT20N50B