Справочник MOSFET. RU9N65P

 

RU9N65P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU9N65P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для RU9N65P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU9N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  ruichips
 ru9n65p.pdf pdf_icon

RU9N65P

RU9N65PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/9A, RDS (ON) =750m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FDDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion in

Другие MOSFET... RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , RU82100R , AO3407 , RUH008N15M-C , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L , RUH120N35M3 , RUH120N70R , RUH120N81L .

History: IRF7343I | R6020ENZ | SML901R1HN | IRFR7440PBF | SSF11NS65UD | SML80B13F | AP0903Q

 

 
Back to Top

 


 
.