RU9N65P - описание и поиск аналогов

 

RU9N65P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU9N65P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для RU9N65P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU9N65P даташит

 ..1. Size:461K  ruichips
 ru9n65p.pdf pdf_icon

RU9N65P

RU9N65P N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/9A, RDS (ON) =750m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GD S TO220F D D D D D Applications D pp D AC/DC Power Conversion in

Другие MOSFET... RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , RU82100R , AO4407A , RUH008N15M-C , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L , RUH120N35M3 , RUH120N70R , RUH120N81L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.