RUH008N15M-C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RUH008N15M-C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5060

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RUH008N15M-C

RUH008N15M-C Datasheet (PDF)

..1. Size:279K ruichips
ruh008n15m-c.pdf

RUH008N15M-CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 150V/100A,RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) PerformanceG Low Gate Charge Minimizing Switching LossSSS 100% Avalanche TestedD Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)DDDDPIN1DFN5060

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: