RUH008N15M-C Todos los transistores

 

RUH008N15M-C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUH008N15M-C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5060
 

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RUH008N15M-C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  ruichips
 ruh008n15m-c.pdf pdf_icon

RUH008N15M-C

RUH008N15M-CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 150V/100A,RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) PerformanceG Low Gate Charge Minimizing Switching LossSSS 100% Avalanche TestedD Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)DDDDPIN1DFN5060

Otros transistores... RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , RU82100R , RU9N65P , AO4468 , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L , RUH120N35M3 , RUH120N70R , RUH120N81L , RUH120N90M .

History: IRFR5305 | 1H10 | WMM07N60C4 | 8N90 | KNB3208A | IRF250P225

 

 
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