Справочник MOSFET. RUH008N15M-C

 

RUH008N15M-C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUH008N15M-C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для RUH008N15M-C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH008N15M-C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  ruichips
 ruh008n15m-c.pdf pdf_icon

RUH008N15M-C

RUH008N15M-CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 150V/100A,RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) PerformanceG Low Gate Charge Minimizing Switching LossSSS 100% Avalanche TestedD Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)DDDDPIN1DFN5060

Другие MOSFET... RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , RU82100R , RU9N65P , AO4468 , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L , RUH120N35M3 , RUH120N70R , RUH120N81L , RUH120N90M .

History: IRF742FI | WML10N65EM | IRF9358 | MSC37N03 | SSL60R099SFD

 

 
Back to Top

 


 
.