RUH008N15M-C - описание и поиск аналогов

 

RUH008N15M-C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUH008N15M-C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для RUH008N15M-C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH008N15M-C даташит

 ..1. Size:279K  ruichips
 ruh008n15m-c.pdf pdf_icon

RUH008N15M-C

RUH008N15M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 150V/100A, RDS (ON) =8m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance G Low Gate Charge Minimizing Switching Loss SS S 100% Avalanche Tested D Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) D D DD PIN1 DFN5060

Другие MOSFET... RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 , RU6051H , RU65110R , RU7N65L , RU82100R , RU9N65P , 60N06 , RUH120N140R , RUH120N140S , RUH120N140T , RUH120N35L , RUH120N35M3 , RUH120N70R , RUH120N81L , RUH120N90M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.