RUQ4040M2 Todos los transistores

 

RUQ4040M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUQ4040M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
 

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Principales características: RUQ4040M2

 ..1. Size:358K  ruichips
 ruq4040m2.pdf pdf_icon

RUQ4040M2

RUQ4040M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/40A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V D D D D RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 100% Avalanche Tested G S S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S PIN1 PDFN3333 D

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