RUQ4040M2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUQ4040M2 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: PDFN3333
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de RUQ4040M2 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
RUQ4040M2 datasheet
ruq4040m2.pdf
RUQ4040M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/40A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V D D D D RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 100% Avalanche Tested G S S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S PIN1 PDFN3333 D
Otros transistores... RUH60D60M, RUH85100M-C, RUH85120M-C, RUH85120S, RUH85150R, RUH85210R, RUH85230S, RUH85350T, 12N60, H0110D, H0110K, H01H14B, H01H14D, H01P13D, H01P13K, H10N60P, H10N65P
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: AGM304A | AO4832 | AGM150P10S
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent
