RUQ4040M2 Todos los transistores

 

RUQ4040M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUQ4040M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
 

 Búsqueda de reemplazo de RUQ4040M2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RUQ4040M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  ruichips
 ruq4040m2.pdf pdf_icon

RUQ4040M2

RUQ4040M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/40A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VDDDDRDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5V AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 100% Avalanche TestedGSS Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SPIN1PDFN3333D

Otros transistores... RUH60D60M , RUH85100M-C , RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , AO4407 , H0110D , H0110K , H01H14B , H01H14D , H01P13D , H01P13K , H10N60P , H10N65P .

History: HFB1N60S | AP09T10GH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.