RUQ4040M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUQ4040M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3333
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RUQ4040M2
RUQ4040M2 Datasheet (PDF)
ruq4040m2.pdf
RUQ4040M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/40A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VDDDDRDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5V AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 100% Avalanche TestedGSS Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SPIN1PDFN3333D
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History: RUH85210R | IRF5305 | RUH40E12C | RUH85120M-C | RUH6080R | HQB7N65C | 40600
History: RUH85210R | IRF5305 | RUH40E12C | RUH85120M-C | RUH6080R | HQB7N65C | 40600
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD