Справочник MOSFET. RUQ4040M2

 

RUQ4040M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUQ4040M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для RUQ4040M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUQ4040M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  ruichips
 ruq4040m2.pdf pdf_icon

RUQ4040M2

RUQ4040M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/40A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VDDDDRDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5V AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 100% Avalanche TestedGSS Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SPIN1PDFN3333D

Другие MOSFET... RUH60D60M , RUH85100M-C , RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , AO4407 , H0110D , H0110K , H01H14B , H01H14D , H01P13D , H01P13K , H10N60P , H10N65P .

 

 
Back to Top

 


 
.