RUQ4040M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RUQ4040M2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RUQ4040M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUQ4040M2 даташит

 ..1. Size:358K  ruichips
 ruq4040m2.pdf pdf_icon

RUQ4040M2

RUQ4040M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/40A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V D D D D RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 100% Avalanche Tested G S S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S PIN1 PDFN3333 D

Другие IGBT... RUH60D60M, RUH85100M-C, RUH85120M-C, RUH85120S, RUH85150R, RUH85210R, RUH85230S, RUH85350T, 12N60, H0110D, H0110K, H01H14B, H01H14D, H01P13D, H01P13K, H10N60P, H10N65P