RUQ4040M2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RUQ4040M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: PDFN3333
Аналог (замена) для RUQ4040M2
RUQ4040M2 Datasheet (PDF)
ruq4040m2.pdf
RUQ4040M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/40A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VDDDDRDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5V AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 100% Avalanche TestedGSS Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SPIN1PDFN3333D
Другие MOSFET... RUH60D60M , RUH85100M-C , RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , STP80NF70 , H0110D , H0110K , H01H14B , H01H14D , H01P13D , H01P13K , H10N60P , H10N65P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP40P04DF | AP40P04D | AP40P03DF | AP40P02D | AP40N20MP | AP40N10P | AP40N03S | AP40N02D | AP30P03D | AP30P02DF | AP30P01DF | AP30N20P | AP30N15D | AP30N10Y | AP260N12TLG1 | AP6G03LI
Popular searches
ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent


