H0110K Todos los transistores

 

H0110K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H0110K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO-252

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H0110K datasheet

 ..1. Size:338K  cn haohai electr
 h0110d h0110k.pdf pdf_icon

H0110K

H0110D/K N-Channel MOSFET 10A,100V, N H H0110D DPAK NCE0110K HAOHAI 2500Pcs 2500Pcs H0110K TO-252 H0110D Series Pin Assignment ID=9.6A DESCRIPTION VDS=100V The H0110D H0110K RDS(on)=105m uses advanced trench t

Otros transistores... RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , RUQ4040M2 , H0110D , NCEP15T14 , H01H14B , H01H14D , H01P13D , H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P .

 

 

 

 

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