Справочник MOSFET. H0110K

 

H0110K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H0110K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для H0110K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H0110K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  cn haohai electr
 h0110d h0110k.pdf pdf_icon

H0110K

H0110D/KN-Channel MOSFET10A,100V, N H H0110D DPAKNCE0110K HAOHAI 2500Pcs 2500PcsH0110K TO-252H0110D Series Pin AssignmentID=9.6ADESCRIPTIONVDS=100VThe H0110DH0110KRDS(on)=105muses advanced trench t

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CPH3351 | FDP4030L

 

 
Back to Top

 


 
.