H0110K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: H0110K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: TO-252
H0110K Datasheet (PDF)
..1. Size:338K cn haohai electr
h0110d h0110k.pdf
h0110d h0110k.pdf
H0110D/KN-Channel MOSFET10A,100V, N H H0110D DPAKNCE0110K HAOHAI 2500Pcs 2500PcsH0110K TO-252H0110D Series Pin AssignmentID=9.6ADESCRIPTIONVDS=100VThe H0110DH0110KRDS(on)=105muses advanced trench t
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
