H0110K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: H0110K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для H0110K
H0110K Datasheet (PDF)
h0110d h0110k.pdf
H0110D/KN-Channel MOSFET10A,100V, N H H0110D DPAKNCE0110K HAOHAI 2500Pcs 2500PcsH0110K TO-252H0110D Series Pin AssignmentID=9.6ADESCRIPTIONVDS=100VThe H0110DH0110KRDS(on)=105muses advanced trench t
Другие MOSFET... RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R , RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , RUQ4040M2 , H0110D , NCEP15T14 , H01H14B , H01H14D , H01P13D , H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor


