H01H14D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H01H14D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 914 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H01H14D

H01H14D Datasheet (PDF)

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h01h14b h01h14d.pdf

H01H14D/BN-Channel MOSFET140A,100V, N H TO-263H01H14BNCE01H14D HAOHAI 800Pcs 8000PcsH01H14DD2PAKH01H14B Series Pin AssignmentID=140ADESCRIPTIONVDS=100VThe H01H14BH01H14DRDS(on)=5.5muses advanced t

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: