Справочник MOSFET. H01H14D

 

H01H14D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: H01H14D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 914 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для H01H14D

 

 

H01H14D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  cn haohai electr
 h01h14b h01h14d.pdf

H01H14D H01H14D

H01H14D/BN-Channel MOSFET140A,100V, N H TO-263H01H14BNCE01H14D HAOHAI 800Pcs 8000PcsH01H14DD2PAKH01H14B Series Pin AssignmentID=140ADESCRIPTIONVDS=100VThe H01H14BH01H14DRDS(on)=5.5muses advanced t

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top