H01P13D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H01P13D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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H01P13D Datasheet (PDF)

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h01p13d h01p13k.pdf

H01P13DP-Channel MOSFET-13A, -100V, P H - 80Pcs 4Kpcs H01P13D DPAK 2500Pcs 1 HAOHAIH01P13K TO-252H01P13D Series Pin AssignmentID=-13A DESCRIPTIONVDS=-100V The H01P13D H01P13K RDS(on)=170m uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wid

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