H01P13D Todos los transistores

 

H01P13D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H01P13D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: DPAK

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H01P13D datasheet

 ..1. Size:257K  cn haohai electr
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H01P13D

H01P13D P-Channel MOSFET -13A, -100V, P H - 80Pcs 4Kpcs H01P13D DPAK 2500Pcs 1 HAOHAI H01P13K TO-252 H01P13D Series Pin Assignment ID=-13A DESCRIPTION VDS=-100V The H01P13D H01P13K RDS(on)=170m uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wid

Otros transistores... RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , RUQ4040M2 , H0110D , H0110K , H01H14B , H01H14D , IRFP450 , H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U , H15N10D , H1N60U .

History: 2SK2489 | WMQ37N03T1 | H10N65P | 2SK3888-01MR | MEE4298T | RF1S60P03 | ME9435

 

 

 

 

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