H01P13D - аналоги и даташиты транзистора

 

H01P13D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: H01P13D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для H01P13D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H01P13D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  cn haohai electr
 h01p13d h01p13k.pdf pdf_icon

H01P13D

H01P13DP-Channel MOSFET-13A, -100V, P H - 80Pcs 4Kpcs H01P13D DPAK 2500Pcs 1 HAOHAIH01P13K TO-252H01P13D Series Pin AssignmentID=-13A DESCRIPTIONVDS=-100V The H01P13D H01P13K RDS(on)=170m uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wid

Другие MOSFET... RUH85210R , RUH85230S , RUH85350T , RUQ4040M2 , H0110D , H0110K , H01H14B , H01H14D , IRF1407 , H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U , H15N10D , H1N60U .

History: H12N65P | IRF840APBF

 

 
Back to Top

 


 
.