H01P13K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H01P13K  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO-252

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H01P13K datasheet

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H01P13K

H01P13D P-Channel MOSFET -13A, -100V, P H - 80Pcs 4Kpcs H01P13D DPAK 2500Pcs 1 HAOHAI H01P13K TO-252 H01P13D Series Pin Assignment ID=-13A DESCRIPTION VDS=-100V The H01P13D H01P13K RDS(on)=170m uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wid

Otros transistores... RUH85230S, RUH85350T, RUQ4040M2, H0110D, H0110K, H01H14B, H01H14D, H01P13D, STP80NF70, H10N60P, H10N65P, H12N60P, H12N65P, H15N10U, H15N10D, H1N60U, H1N60D