H01P13K - описание и поиск аналогов

 

H01P13K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H01P13K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для H01P13K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H01P13K даташит

 ..1. Size:257K  cn haohai electr
 h01p13d h01p13k.pdf pdf_icon

H01P13K

H01P13D P-Channel MOSFET -13A, -100V, P H - 80Pcs 4Kpcs H01P13D DPAK 2500Pcs 1 HAOHAI H01P13K TO-252 H01P13D Series Pin Assignment ID=-13A DESCRIPTION VDS=-100V The H01P13D H01P13K RDS(on)=170m uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wid

Другие MOSFET... RUH85230S , RUH85350T , RUQ4040M2 , H0110D , H0110K , H01H14B , H01H14D , H01P13D , TK10A60D , H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U , H15N10D , H1N60U , H1N60D .

History: 2SK2568 | IPI111N15N3 | MEE7630-G | AOV11S60 | JCS10N65CT | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210

 

 

 

 

↑ Back to Top
.