Справочник MOSFET. H01P13K

 

H01P13K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H01P13K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для H01P13K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H01P13K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  cn haohai electr
 h01p13d h01p13k.pdf pdf_icon

H01P13K

H01P13DP-Channel MOSFET-13A, -100V, P H - 80Pcs 4Kpcs H01P13D DPAK 2500Pcs 1 HAOHAIH01P13K TO-252H01P13D Series Pin AssignmentID=-13A DESCRIPTIONVDS=-100V The H01P13D H01P13K RDS(on)=170m uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wid

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WMK50N06TS | IXFH6N100

 

 
Back to Top

 


 
.