H1N60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H1N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
Encapsulados: TO-252
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H1N60D datasheet
h1n60u h1n60d.pdf
1N60 Series N-Channel MOSFET 1A, 600V, N H FQU1N60C H1N60U U TO-251 80 / 4Kpcs/ 24Kpcs HAOHAI 1N60 FQD1N60C H1N60D D TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/ 1N60 Series Pin Assignment APPLICATION ID=1A
Otros transistores... H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U , H15N10D , H1N60U , 5N60 , H2301 , H2302 , H2302A , H2N60P , H2N60F , H2N60U , H2N60D , H2N65U .
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