H1N60D - описание и поиск аналогов

 

H1N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H1N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для H1N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H1N60D даташит

 ..1. Size:386K  cn haohai electr
 h1n60u h1n60d.pdf pdf_icon

H1N60D

1N60 Series N-Channel MOSFET 1A, 600V, N H FQU1N60C H1N60U U TO-251 80 / 4Kpcs/ 24Kpcs HAOHAI 1N60 FQD1N60C H1N60D D TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/ 1N60 Series Pin Assignment APPLICATION ID=1A

Другие MOSFET... H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U , H15N10D , H1N60U , 5N60 , H2301 , H2302 , H2302A , H2N60P , H2N60F , H2N60U , H2N60D , H2N65U .

History: 2SJ154 | 2N4393C1B | JMSH0602AE | HU840U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.