Справочник MOSFET. H1N60D

 

H1N60D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: H1N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.8 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для H1N60D

 

 

H1N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  cn haohai electr
 h1n60u h1n60d.pdf

H1N60D H1N60D

1N60 SeriesN-Channel MOSFET1A, 600V, N H FQU1N60C H1N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI1N60FQD1N60C H1N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/1N60 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=1A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top