H2301 Todos los transistores

 

H2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H2301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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H2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  cn haohai electr
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H2301

HAOHAI ELECTRONICS H2301 - 2A, -20V, P-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable FeaturesDC/DC converterRDS(ON)120m @ VGS=-4.5V FEATURERDS(ON)170m @ VGS=-2.5VHigh Density Cell Design For UltraIndustry-standard pinout SOT-23 PackageLow On-ResistanceCompatible with Existing Surface MountTechniques

 0.1. Size:88K  hsmc
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H2301

Spec. No. : MOS200612 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.07.01 Revised Date : 2006.07.11 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2301N Pin Assignment & Symbol H2301N 33-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -2.2A) Package Code: N Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain 21SourceFeatures GateDrain RDS(on)

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History: TMU7N60Z | APT6013JLL | HM20N60 | HGS059N08A | APT12060LVFRG | BUK9E4R4-80E | CS100N03FB9

 

 
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