H2301 - описание и поиск аналогов

 

H2301. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2301

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для H2301

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2301 даташит

 ..1. Size:491K  cn haohai electr
 h2301.pdf pdf_icon

H2301

HAOHAI ELECTRONICS H2301 - 2A, -20V, P-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable Features DC/DC converter RDS(ON) 120m @ VGS=-4.5V FEATURE RDS(ON) 170m @ VGS=-2.5V High Density Cell Design For Ultra Industry-standard pinout SOT-23 Package Low On-Resistance Compatible with Existing Surface MountTechniques

 0.1. Size:88K  hsmc
 h2301n.pdf pdf_icon

H2301

Spec. No. MOS200612 HI-SINCERITY Issued Date 2006.07.01 Revised Date 2006.07.11 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 H2301N Pin Assignment & Symbol H2301N 3 3-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -2.2A) Package Code N Pin 1 Gate 2 Source 3 Drain 2 1 Source Features Gate Drain RDS(on)

Другие MOSFET... H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U , H15N10D , H1N60U , H1N60D , RFP50N06 , H2302 , H2302A , H2N60P , H2N60F , H2N60U , H2N60D , H2N65U , H2N65D .

History: R521 | WMQ37N03T1 | MEE4298T | 4N70G-TM3-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.