H2301 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: H2301
Маркировка: A1SHB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
H2301 Datasheet (PDF)
h2301.pdf
HAOHAI ELECTRONICS H2301 - 2A, -20V, P-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable FeaturesDC/DC converterRDS(ON)120m @ VGS=-4.5V FEATURERDS(ON)170m @ VGS=-2.5VHigh Density Cell Design For UltraIndustry-standard pinout SOT-23 PackageLow On-ResistanceCompatible with Existing Surface MountTechniques
h2301n.pdf
Spec. No. : MOS200612 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.07.01 Revised Date : 2006.07.11 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2301N Pin Assignment & Symbol H2301N 33-Lead Plastic SOT-23 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -2.2A) Package Code: N Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain 21SourceFeatures GateDrain RDS(on)
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
