H2302 Todos los transistores

 

H2302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H2302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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H2302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:482K  cn haohai electr
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H2302

HAOHAI ELECTRONICS H2302 2A 20V N-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable FeaturesDC/DC converterRDS(ON)60m @ VGS=4.5V FEATURERDS(ON)100m @ VGS=2.5VHigh Density Cell Design For UltraIndustry-standard pinout SOT-23 PackageLow On-ResistanceCompatible with Existing Surface MountTechniques

 0.1. Size:88K  hsmc
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H2302

Spec. No. : MOS200613 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.07.01 Revised Date : 2006.07.12 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2302N Pin Assignment & Symbol H2302N 33-Lead Plastic SOT-23 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 2.4A) Package Code: N Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain 21DrainFeatures GateSource RDS(on)

 0.2. Size:170K  cn haohai electr
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H2302

HAOHAI ELECTRONICS H2302A 4A, 20V, N-Channel MOSFETApplicationLoad Switch FeaturesPWM ApplicationRDS(ON)

Otros transistores... H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U , H15N10D , H1N60U , H1N60D , H2301 , SI2302 , H2302A , H2N60P , H2N60F , H2N60U , H2N60D , H2N65U , H2N65D , H4N60P .

History: PJA3417 | C2M1000170J | AP2301GN

 

 
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