H2302 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H2302
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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H2302 datasheet
h2302.pdf
HAOHAI ELECTRONICS H2302 2A 20V N-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable Features DC/DC converter RDS(ON) 60m @ VGS=4.5V FEATURE RDS(ON) 100m @ VGS=2.5V High Density Cell Design For Ultra Industry-standard pinout SOT-23 Package Low On-Resistance Compatible with Existing Surface MountTechniques
h2302a.pdf
HAOHAI ELECTRONICS H2302A 4A, 20V, N-Channel MOSFET Application Load Switch Features PWM Application RDS(ON)
Otros transistores... H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U , H15N10D , H1N60U , H1N60D , H2301 , SI2302 , H2302A , H2N60P , H2N60F , H2N60U , H2N60D , H2N65U , H2N65D , H4N60P .
History: DMP6185SK3 | ME8205E-G | 2SJ374
History: DMP6185SK3 | ME8205E-G | 2SJ374
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