H2302 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: H2302
Маркировка: A2SHB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
H2302 Datasheet (PDF)
h2302.pdf
HAOHAI ELECTRONICS H2302 2A 20V N-Channel MOSFET APPLICATIONS Load switch for portable FeaturesDC/DC converterRDS(ON)60m @ VGS=4.5V FEATURERDS(ON)100m @ VGS=2.5VHigh Density Cell Design For UltraIndustry-standard pinout SOT-23 PackageLow On-ResistanceCompatible with Existing Surface MountTechniques
h2302n.pdf
Spec. No. : MOS200613 HI-SINCERITY Issued Date : 2006.07.01 Revised Date : 2006.07.12 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2302N Pin Assignment & Symbol H2302N 33-Lead Plastic SOT-23 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 2.4A) Package Code: N Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain 21DrainFeatures GateSource RDS(on)
h2302a.pdf
HAOHAI ELECTRONICS H2302A 4A, 20V, N-Channel MOSFETApplicationLoad Switch FeaturesPWM ApplicationRDS(ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918