H2N60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H2N60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
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H2N60U Datasheet (PDF)
h2n60u h2n60d.pdf
2N60 SeriesN-Channel MOSFET2A, 600V, N H FQU2N60C H2N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI2N60FQD2N60C H2N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/2N60 Series Pin AssignmentFeaturesID=1.8A
lnd2n60 lnc2n60 lng2n60 lnh2n60.pdf
LND2N60/LNC2N60/LNG2N60/LNH2N60Lonten N-channel 600V, 2A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 2ADresulting device has low conduction resistance, R 4.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 10.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge
h2n60p h2n60f.pdf
2N60 SeriesN-Channel MOSFET2A, 600V, N H FQP2N60C H2N60P P: TO-220ABHAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs2N60FQPF2N60C H2N60F F: TO-220FP2N60 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=2AELECTRONIC BALLAST
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Liste
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