H2N60U - описание и поиск аналогов

 

H2N60U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H2N60U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для H2N60U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H2N60U даташит

 ..1. Size:410K  cn haohai electr
 h2n60u h2n60d.pdf pdf_icon

H2N60U

 9.1. Size:1336K  lonten
 lnd2n60 lnc2n60 lng2n60 lnh2n60.pdf pdf_icon

H2N60U

LND2N60/LNC2N60/LNG2N60/LNH2N60 Lonten N-channel 600V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 2A D resulting device has low conduction resistance, R 4.5 DS(on),max superior switching performance and high avalance Q 10.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge

 9.2. Size:374K  cn haohai electr
 h2n60p h2n60f.pdf pdf_icon

H2N60U

2N60 Series N-Channel MOSFET 2A, 600V, N H FQP2N60C H2N60P P TO-220AB HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs 2N60 FQPF2N60C H2N60F F TO-220FP 2N60 Series Pin Assignment APPLICATION ID=2A ELECTRONIC BALLAST

Другие MOSFET... H15N10D , H1N60U , H1N60D , H2301 , H2302 , H2302A , H2N60P , H2N60F , IRF520 , H2N60D , H2N65U , H2N65D , H4N60P , H4N60F , H4N60U , H4N60D , H4N65U .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.