H4N60D Todos los transistores

 

H4N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H4N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

H4N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  cn haohai electr
 h4n60u h4n60d.pdf pdf_icon

H4N60D

4N60 SeriesN-Channel MOSFET4A, 600V, N H FQU4N60C H4N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI4N60FQD4N60C H4N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/4N60 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=4A

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H4N60D

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H4N60D

SSH4N55 PCB24

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H4N60D

LNC4N60\LND4N60\LNG4N60\LNH4N60\LNF4N60Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 2.4DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate

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History: SGP100N025 | BSR202N | FHU50N06D

 

 
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