H4N60D - описание и поиск аналогов

 

H4N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H4N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для H4N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H4N60D даташит

 ..1. Size:370K  cn haohai electr
 h4n60u h4n60d.pdf pdf_icon

H4N60D

4N60 Series N-Channel MOSFET 4A, 600V, N H FQU4N60C H4N60U U TO-251 80 / 4Kpcs/ 24Kpcs HAOHAI 4N60 FQD4N60C H4N60D D TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/ 4N60 Series Pin Assignment APPLICATION ID=4A

 9.1. Size:178K  1
 ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdf pdf_icon

H4N60D

 9.2. Size:441K  semelab
 ssh4n55 ssh4n60.pdf pdf_icon

H4N60D

SSH4N55 PCB 24

 9.3. Size:1293K  lonten
 lnc4n60 lnd4n60 lng4n60 lnh4n60 lnf4n60.pdf pdf_icon

H4N60D

LNC4N60 LND4N60 LNG4N60 LNH4N60 LNF4N60 Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 4A D resulting device has low conduction resistance, R 2.4 DS(on),max superior switching performance and high avalance Q 12.8 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... H2N60F , H2N60U , H2N60D , H2N65U , H2N65D , H4N60P , H4N60F , H4N60U , 75N75 , H4N65U , H4N65D , H5N50U , H5N50D , H5N60P , H5N60F , H5N60U , H5N60D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.