Справочник MOSFET. H4N60D

 

H4N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H4N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для H4N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H4N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  cn haohai electr
 h4n60u h4n60d.pdf pdf_icon

H4N60D

4N60 SeriesN-Channel MOSFET4A, 600V, N H FQU4N60C H4N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI4N60FQD4N60C H4N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/4N60 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=4A

 9.1. Size:178K  1
 ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdf pdf_icon

H4N60D

 9.2. Size:441K  semelab
 ssh4n55 ssh4n60.pdf pdf_icon

H4N60D

SSH4N55 PCB24

 9.3. Size:1293K  lonten
 lnc4n60 lnd4n60 lng4n60 lnh4n60 lnf4n60.pdf pdf_icon

H4N60D

LNC4N60\LND4N60\LNG4N60\LNH4N60\LNF4N60Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 4ADresulting device has low conduction resistance, R 2.4DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... H2N60F , H2N60U , H2N60D , H2N65U , H2N65D , H4N60P , H4N60F , H4N60U , IRF520 , H4N65U , H4N65D , H5N50U , H5N50D , H5N60P , H5N60F , H5N60U , H5N60D .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.