H6N70P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H6N70P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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H6N70P datasheet
h6n70p h6n70f.pdf
6N70 Series N-Channel MOSFET 6A, 700V, N H FQP6N70C H6N70P P TO-220AB HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs 6N70 FQPF6N70C H6N70F F TO-220FP 6N70 Series Pin Assignment Features ID=6A Originative New Design BVD
ssh6n70a.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 700 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) 1.552 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value
h6n70u h6n70d.pdf
6N70 Series N-Channel MOSFET 6A, 700V, N H FQU6N70C H6N70U U TO-251 80 / 4Kpcs/ 24Kpcs HAOHAI 6N70 FQD6N70C H6N70D D TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/ 6N70 Series Pin Assignment APPLICATION ID=6A
Otros transistores... H4N65U , H4N65D , H5N50U , H5N50D , H5N60P , H5N60F , H5N60U , H5N60D , IRLB3034 , H6N70F , H6N70U , H6N70D , H7N60P , H7N60F , H8N60P , H8N60F , H8N65P .
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