H6N70P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H6N70P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H6N70P

H6N70P Datasheet (PDF)

..1. Size:409K cn haohai electr
h6n70p h6n70f.pdf

6N70 SeriesN-Channel MOSFET6A, 700V, N H FQP6N70C H6N70P P: TO-220ABHAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs6N70FQPF6N70C H6N70F F: TO-220FP6N70 Series Pin AssignmentFeaturesID=6AOriginative New DesignBVD

9.1. Size:935K samsung
ssh6n70a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

9.2. Size:375K cn haohai electr
h6n70u h6n70d.pdf

6N70 SeriesN-Channel MOSFET6A, 700V, N H FQU6N70C H6N70U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI6N70FQD6N70C H6N70D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/6N70 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=6A

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: