H6N70P - описание и поиск аналогов

 

H6N70P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H6N70P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для H6N70P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H6N70P даташит

 ..1. Size:409K  cn haohai electr
 h6n70p h6n70f.pdf pdf_icon

H6N70P

6N70 Series N-Channel MOSFET 6A, 700V, N H FQP6N70C H6N70P P TO-220AB HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs 6N70 FQPF6N70C H6N70F F TO-220FP 6N70 Series Pin Assignment Features ID=6A Originative New Design BVD

 9.1. Size:935K  samsung
 ssh6n70a.pdf pdf_icon

H6N70P

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 700 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) 1.552 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.2. Size:375K  cn haohai electr
 h6n70u h6n70d.pdf pdf_icon

H6N70P

6N70 Series N-Channel MOSFET 6A, 700V, N H FQU6N70C H6N70U U TO-251 80 / 4Kpcs/ 24Kpcs HAOHAI 6N70 FQD6N70C H6N70D D TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/ 6N70 Series Pin Assignment APPLICATION ID=6A

Другие MOSFET... H4N65U , H4N65D , H5N50U , H5N50D , H5N60P , H5N60F , H5N60U , H5N60D , IRLB3034 , H6N70F , H6N70U , H6N70D , H7N60P , H7N60F , H8N60P , H8N60F , H8N65P .

History: BSC265N10LSFG | APT1003RBLL | H7N60F | MEE4292-G | SVF840MJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.