H8N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H8N60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de H8N60P MOSFET
H8N60P Datasheet (PDF)
h8n60p h8n60f.pdf

8N60 SeriesN-Channel MOSFET7.5A, 600V, N H FQP8N60C H8N60P P: TO-220AB8N60 HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000PcsFQPF8N60C H8N60F F: TO-220FP8N60 Series Pin AssignmentFeaturesID=7.5AOriginative New Design
Otros transistores... H5N60U , H5N60D , H6N70P , H6N70F , H6N70U , H6N70D , H7N60P , H7N60F , MMD60R360PRH , H8N60F , H8N65P , H8N65F , H90N71P , H90N71F , HIRFZ24NP , HIRFZ24NF , HIRFZ44N .
History: IRF7526D1PBF | AONT32136C | FKI06108 | WSD4050DN | ME4970A-G | HYG007N03LS1C2
History: IRF7526D1PBF | AONT32136C | FKI06108 | WSD4050DN | ME4970A-G | HYG007N03LS1C2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor