H8N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: H8N60P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для H8N60P
H8N60P Datasheet (PDF)
h8n60p h8n60f.pdf

8N60 SeriesN-Channel MOSFET7.5A, 600V, N H FQP8N60C H8N60P P: TO-220AB8N60 HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000PcsFQPF8N60C H8N60F F: TO-220FP8N60 Series Pin AssignmentFeaturesID=7.5AOriginative New Design
Другие MOSFET... H5N60U , H5N60D , H6N70P , H6N70F , H6N70U , H6N70D , H7N60P , H7N60F , MMD60R360PRH , H8N60F , H8N65P , H8N65F , H90N71P , H90N71F , HIRFZ24NP , HIRFZ24NF , HIRFZ44N .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor