HNM2302ALB Todos los transistores

 

HNM2302ALB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HNM2302ALB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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HNM2302ALB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  cn haohai electr
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HNM2302ALB

HNM2302ALBN-Channel MOSFETs3.7A, 20V N N HNM2302ALBN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMDN-ChannelEnhancement ModeFeaturesField Effect Transistor20V, 3.7A, RDS(ON)=50m @ VGS=4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:280K  cn haohai electr
 hnm2302.pdf pdf_icon

HNM2302ALB

HNM2302N-Channel MOSFETs3.5A, 20V N N MOS HNM2302N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorN-ChannelEnhancement ModeFeaturesField Effect Transistor20V, 3.5A, RDS(ON)=60m @VGS=4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliable

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History: KNP6165A | GPT18N50GN3P | FQB13N06TM | NTMFS4835N | RD3L140SP | STB23NM60ND | 5N50L-T2Q-T

 

 
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