HNM2302ALB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HNM2302ALB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HNM2302ALB

HNM2302ALB Datasheet (PDF)

..1. Size:281K cn haohai electr
hnm2302alb.pdf

HNM2302ALBN-Channel MOSFETs3.7A, 20V N N HNM2302ALBN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMDN-ChannelEnhancement ModeFeaturesField Effect Transistor20V, 3.7A, RDS(ON)=50m @ VGS=4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)

7.1. Size:280K cn haohai electr
hnm2302.pdf

HNM2302N-Channel MOSFETs3.5A, 20V N N MOS HNM2302N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorN-ChannelEnhancement ModeFeaturesField Effect Transistor20V, 3.5A, RDS(ON)=60m @VGS=4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliable

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