HNM2302ALB Todos los transistores

 

HNM2302ALB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HNM2302ALB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de HNM2302ALB MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HNM2302ALB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  cn haohai electr
 hnm2302alb.pdf pdf_icon

HNM2302ALB

HNM2302ALBN-Channel MOSFETs3.7A, 20V N N HNM2302ALBN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMDN-ChannelEnhancement ModeFeaturesField Effect Transistor20V, 3.7A, RDS(ON)=50m @ VGS=4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:280K  cn haohai electr
 hnm2302.pdf pdf_icon

HNM2302ALB

HNM2302N-Channel MOSFETs3.5A, 20V N N MOS HNM2302N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorN-ChannelEnhancement ModeFeaturesField Effect Transistor20V, 3.5A, RDS(ON)=60m @VGS=4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliable

Otros transistores... H90N71F , HIRFZ24NP , HIRFZ24NF , HIRFZ44N , HIRFZ44F , HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , IRF540 , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA .

History: HPP045N03CTA | IPS075N03L | 2SK3521-01S | GSM3411 | HPD160N06STA | 2SK209 | AP9575GI-HF

 

 
Back to Top

 


 
.