HNM2302ALB Todos los transistores

 

HNM2302ALB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HNM2302ALB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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HNM2302ALB datasheet

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HNM2302ALB

HNM2302ALB N-Channel MOSFETs 3.7A, 20V N N HNM2302ALB N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMD N-Channel Enhancement Mode Features Field Effect Transistor 20V, 3.7A, RDS(ON)=50m @ VGS=4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:280K  cn haohai electr
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HNM2302ALB

HNM2302 N-Channel MOSFETs 3.5A, 20V N N MOS HNM2302 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Features Field Effect Transistor 20V, 3.5A, RDS(ON)=60m @VGS=4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable

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History: BUK7Y8R7-60E | BUK954R8-60E

 

 

 

 

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