Справочник MOSFET. HNM2302ALB

 

HNM2302ALB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HNM2302ALB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для HNM2302ALB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HNM2302ALB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  cn haohai electr
 hnm2302alb.pdf pdf_icon

HNM2302ALB

HNM2302ALBN-Channel MOSFETs3.7A, 20V N N HNM2302ALBN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMDN-ChannelEnhancement ModeFeaturesField Effect Transistor20V, 3.7A, RDS(ON)=50m @ VGS=4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:280K  cn haohai electr
 hnm2302.pdf pdf_icon

HNM2302ALB

HNM2302N-Channel MOSFETs3.5A, 20V N N MOS HNM2302N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorN-ChannelEnhancement ModeFeaturesField Effect Transistor20V, 3.5A, RDS(ON)=60m @VGS=4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliable

Другие MOSFET... H90N71F , HIRFZ24NP , HIRFZ24NF , HIRFZ44N , HIRFZ44F , HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , IRF540 , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA .

History: CS4N70FA9R | BFD88 | KHB7D0N65P1 | UPA2709AGR | DH009N02D | WMM28N65C4 | TPH1R712MD

 

 
Back to Top

 


 
.