HNM2302ALB - описание и поиск аналогов

 

HNM2302ALB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HNM2302ALB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для HNM2302ALB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HNM2302ALB даташит

 ..1. Size:281K  cn haohai electr
 hnm2302alb.pdf pdf_icon

HNM2302ALB

HNM2302ALB N-Channel MOSFETs 3.7A, 20V N N HNM2302ALB N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMD N-Channel Enhancement Mode Features Field Effect Transistor 20V, 3.7A, RDS(ON)=50m @ VGS=4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:280K  cn haohai electr
 hnm2302.pdf pdf_icon

HNM2302ALB

HNM2302 N-Channel MOSFETs 3.5A, 20V N N MOS HNM2302 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Features Field Effect Transistor 20V, 3.5A, RDS(ON)=60m @VGS=4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable

Другие MOSFET... H90N71F , HIRFZ24NP , HIRFZ24NF , HIRFZ44N , HIRFZ44F , HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , IRF540N , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA .

History: HM4487B | MDHT3N40URH | APT56F60L | CRTD055N03L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.