HNM2302ALB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HNM2302ALB
Маркировка: A2SHB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для HNM2302ALB
HNM2302ALB Datasheet (PDF)
hnm2302alb.pdf
HNM2302ALBN-Channel MOSFETs3.7A, 20V N N HNM2302ALBN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMDN-ChannelEnhancement ModeFeaturesField Effect Transistor20V, 3.7A, RDS(ON)=50m @ VGS=4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)
hnm2302.pdf
HNM2302N-Channel MOSFETs3.5A, 20V N N MOS HNM2302N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorN-ChannelEnhancement ModeFeaturesField Effect Transistor20V, 3.5A, RDS(ON)=60m @VGS=4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged and reliable
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918