HNM7002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HNM7002
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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HNM7002 datasheet
hnm7002.pdf
HNM7002 N-Channel MOSFETs 115mA,60V N N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMD HNM7002 N-Channel Features Enhancement Mode 60V, 115mA, RDS(ON)=7.5 @ VGS=5V Field Effect Transistor High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged
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