HNM7002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HNM7002
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HNM7002 Datasheet (PDF)
hnm7002.pdf

HNM7002N-Channel MOSFETs115mA,60VNN N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMDHNM7002N-ChannelFeaturesEnhancement Mode60V, 115mA, RDS(ON)=7.5 @ VGS=5VField Effect TransistorHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged
hnm7002e.pdf

HNM7002EN-Channel MOSFETs300mA,60VNN N-Channel Enhancement-Mode MOSFET With ESD SMDHNM7002EN-ChannelFeaturesEnhancement Mode60V, 300mA, RDS(ON)=3.5 @ VGS=5VField Effect TransistorHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: STD4N52K3 | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | RW1C025ZP
History: STD4N52K3 | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | RW1C025ZP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678