Справочник MOSFET. HNM7002

 

HNM7002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HNM7002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HNM7002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  cn haohai electr
hnm7002.pdfpdf_icon

HNM7002

HNM7002N-Channel MOSFETs115mA,60VNN N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMDHNM7002N-ChannelFeaturesEnhancement Mode60V, 115mA, RDS(ON)=7.5 @ VGS=5VField Effect TransistorHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged

 0.1. Size:283K  cn haohai electr
hnm7002e.pdfpdf_icon

HNM7002

HNM7002EN-Channel MOSFETs300mA,60VNN N-Channel Enhancement-Mode MOSFET With ESD SMDHNM7002EN-ChannelFeaturesEnhancement Mode60V, 300mA, RDS(ON)=3.5 @ VGS=5VField Effect TransistorHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STD4N52K3 | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | RW1C025ZP

 

 
Back to Top

 


 
.