HNM7002E Todos los transistores

 

HNM7002E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HNM7002E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de HNM7002E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HNM7002E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  cn haohai electr
 hnm7002e.pdf pdf_icon

HNM7002E

HNM7002EN-Channel MOSFETs300mA,60VNN N-Channel Enhancement-Mode MOSFET With ESD SMDHNM7002EN-ChannelFeaturesEnhancement Mode60V, 300mA, RDS(ON)=3.5 @ VGS=5VField Effect TransistorHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:285K  cn haohai electr
 hnm7002.pdf pdf_icon

HNM7002E

HNM7002N-Channel MOSFETs115mA,60VNN N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMDHNM7002N-ChannelFeaturesEnhancement Mode60V, 115mA, RDS(ON)=7.5 @ VGS=5VField Effect TransistorHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged

Otros transistores... HIRFZ24NF , HIRFZ44N , HIRFZ44F , HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , 50N06 , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA .

History: IRFU3709 | FA57SA50LCP | SM4832NSK | SM2202NSQG | AOCA24106E | SSW90R160S2 | SM4404BPRL

 

 
Back to Top

 


 
.