HNM7002E Todos los transistores

 

HNM7002E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HNM7002E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

HNM7002E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  cn haohai electr
 hnm7002e.pdf pdf_icon

HNM7002E

HNM7002EN-Channel MOSFETs300mA,60VNN N-Channel Enhancement-Mode MOSFET With ESD SMDHNM7002EN-ChannelFeaturesEnhancement Mode60V, 300mA, RDS(ON)=3.5 @ VGS=5VField Effect TransistorHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:285K  cn haohai electr
 hnm7002.pdf pdf_icon

HNM7002E

HNM7002N-Channel MOSFETs115mA,60VNN N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMDHNM7002N-ChannelFeaturesEnhancement Mode60V, 115mA, RDS(ON)=7.5 @ VGS=5VField Effect TransistorHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF5Y3315CM | IRF7316QPBF | WSC5N20A | SI3585DV-T1 | WM01P41M | BLF7G24LS-100 | SWP085R68E7T

 

 
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