HNM7002E Todos los transistores

HNM7002E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HNM7002E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: SOT-23

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros