Справочник MOSFET. HNM7002E

 

HNM7002E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HNM7002E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для HNM7002E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HNM7002E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  cn haohai electr
 hnm7002e.pdf pdf_icon

HNM7002E

HNM7002EN-Channel MOSFETs300mA,60VNN N-Channel Enhancement-Mode MOSFET With ESD SMDHNM7002EN-ChannelFeaturesEnhancement Mode60V, 300mA, RDS(ON)=3.5 @ VGS=5VField Effect TransistorHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:285K  cn haohai electr
 hnm7002.pdf pdf_icon

HNM7002E

HNM7002N-Channel MOSFETs115mA,60VNN N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMDHNM7002N-ChannelFeaturesEnhancement Mode60V, 115mA, RDS(ON)=7.5 @ VGS=5VField Effect TransistorHigh dense cell design for extremely low RDS(ON)Rugged

Другие MOSFET... HIRFZ24NF , HIRFZ44N , HIRFZ44F , HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , 50N06 , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA .

History: IRF830LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.