HNM7002E - описание и поиск аналогов

 

HNM7002E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HNM7002E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для HNM7002E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HNM7002E даташит

 ..1. Size:283K  cn haohai electr
 hnm7002e.pdf pdf_icon

HNM7002E

 7.1. Size:285K  cn haohai electr
 hnm7002.pdf pdf_icon

HNM7002E

HNM7002 N-Channel MOSFETs 115mA,60V N N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMD HNM7002 N-Channel Features Enhancement Mode 60V, 115mA, RDS(ON)=7.5 @ VGS=5V Field Effect Transistor High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged

Другие MOSFET... HIRFZ24NF , HIRFZ44N , HIRFZ44F , HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , 50N06 , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.