HPB068NE7STA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPB068NE7STA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
Encapsulados: TO-263
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HPB068NE7STA datasheet
hpb068ne7sta.pdf
HAOHAI ELECTRONICS HPB068NE7STA Product Summary 120A, 80V VDS 80 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 6.8 m Features Advanced process technology Ultra low On-Resistance ID 120 A 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free D 1.Gate D G TO-263 D2PAK S 3.Source ORDERING INFORMATION Pin Assignm
Otros transistores... HIRFZ44N , HIRFZ44F , HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , IRFP460 , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA .
History: HPD025N03STA
History: HPD025N03STA
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Liste
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