Справочник MOSFET. HPB068NE7STA

 

HPB068NE7STA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HPB068NE7STA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 139 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HPB068NE7STA

 

 

HPB068NE7STA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  cn haohai electr
 hpb068ne7sta.pdf

HPB068NE7STA HPB068NE7STA

HAOHAI ELECTRONICS HPB068NE7STAProduct Summary120A, 80V VDS80 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.6.8 mFeaturesAdvanced process technologyUltra low On-ResistanceID120 A175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-FreeD1.GateDGTO-263D2PAKS3.SourceORDERING INFORMATIONPin Assignm

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top