HPB068NE7STA - описание и поиск аналогов

 

HPB068NE7STA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HPB068NE7STA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для HPB068NE7STA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPB068NE7STA даташит

 ..1. Size:342K  cn haohai electr
 hpb068ne7sta.pdf pdf_icon

HPB068NE7STA

HAOHAI ELECTRONICS HPB068NE7STA Product Summary 120A, 80V VDS 80 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 6.8 m Features Advanced process technology Ultra low On-Resistance ID 120 A 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free D 1.Gate D G TO-263 D2PAK S 3.Source ORDERING INFORMATION Pin Assignm

Другие MOSFET... HIRFZ44N , HIRFZ44F , HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , IRFP460 , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.