HPD025N03STA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPD025N03STA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO-252
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HPD025N03STA datasheet
hpd025n03sta.pdf
HPD025N03STA Product Summary 30V, 180A N-CHANNEL POWER MOSFET VDS 30 V Features R Max. 2.5 m DS(ON) RDS(ON)
hpd026n02sta.pdf
HAOHAI ELECTRONICS HPD026N02STA Product Summary 110A, 20V VDS V 20 N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 2.6 m Features Advanced process technology Ultra low On-Resistance ID 110 A 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free D 1.Gate D G S DPAK TO-252 3.Source ORDERING INFORMATION Pin Assignment Packing Order
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