HPD025N03STA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HPD025N03STA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HPD025N03STA

HPD025N03STA Datasheet (PDF)

..1. Size:1193K cn haohai electr
hpd025n03sta.pdf

HPD025N03STAProduct Summary30V, 180AN-CHANNEL POWER MOSFETVDS30 VFeaturesR Max.2.5 m DS(ON)RDS(ON)

9.1. Size:471K cn haohai electr
hpd026n02sta.pdf

HAOHAI ELECTRONICS HPD026N02STAProduct Summary110A, 20VVDSV20N-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.2.6 mFeaturesAdvanced process technologyUltra low On-ResistanceID110 A175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-FreeD1.GateDGSDPAKTO-2523.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder

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Liste

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