HPD025N03STA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPD025N03STA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de HPD025N03STA MOSFET
HPD025N03STA Datasheet (PDF)
hpd025n03sta.pdf

HPD025N03STAProduct Summary30V, 180AN-CHANNEL POWER MOSFETVDS30 VFeaturesR Max.2.5 m DS(ON)RDS(ON)
hpd026n02sta.pdf

HAOHAI ELECTRONICS HPD026N02STAProduct Summary110A, 20VVDSV20N-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.2.6 mFeaturesAdvanced process technologyUltra low On-ResistanceID110 A175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-FreeD1.GateDGSDPAKTO-2523.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder
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History: FQPF2NA90 | SI4N60-TN3-T | HYG060N08NS1P | NCE3080L | STC2200 | STP28N65M2
History: FQPF2NA90 | SI4N60-TN3-T | HYG060N08NS1P | NCE3080L | STC2200 | STP28N65M2



Liste
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