HPD025N03STA - описание и поиск аналогов

 

HPD025N03STA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HPD025N03STA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HPD025N03STA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPD025N03STA даташит

 ..1. Size:1193K  cn haohai electr
 hpd025n03sta.pdf pdf_icon

HPD025N03STA

HPD025N03STA Product Summary 30V, 180A N-CHANNEL POWER MOSFET VDS 30 V Features R Max. 2.5 m DS(ON) RDS(ON)

 9.1. Size:471K  cn haohai electr
 hpd026n02sta.pdf pdf_icon

HPD025N03STA

HAOHAI ELECTRONICS HPD026N02STA Product Summary 110A, 20V VDS V 20 N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 2.6 m Features Advanced process technology Ultra low On-Resistance ID 110 A 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free D 1.Gate D G S DPAK TO-252 3.Source ORDERING INFORMATION Pin Assignment Packing Order

Другие MOSFET... HIRFZ44F , HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , IRFZ44 , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.