HPD026N02STA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPD026N02STA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 327 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de HPD026N02STA MOSFET
HPD026N02STA Datasheet (PDF)
hpd026n02sta.pdf
HAOHAI ELECTRONICS HPD026N02STAProduct Summary110A, 20VVDSV20N-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.2.6 mFeaturesAdvanced process technologyUltra low On-ResistanceID110 A175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-FreeD1.GateDGSDPAKTO-2523.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder
hpd025n03sta.pdf
HPD025N03STAProduct Summary30V, 180AN-CHANNEL POWER MOSFETVDS30 VFeaturesR Max.2.5 m DS(ON)RDS(ON)
Otros transistores... HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , IRFZ44 , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA .
History: SI3481DV
History: SI3481DV
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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