HPD026N02STA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HPD026N02STA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HPD026N02STA Datasheet (PDF)
hpd026n02sta.pdf
HAOHAI ELECTRONICS HPD026N02STAProduct Summary110A, 20VVDSV20N-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.2.6 mFeaturesAdvanced process technologyUltra low On-ResistanceID110 A175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-FreeD1.GateDGSDPAKTO-2523.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder
hpd025n03sta.pdf
HPD025N03STAProduct Summary30V, 180AN-CHANNEL POWER MOSFETVDS30 VFeaturesR Max.2.5 m DS(ON)RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IRLU3714PBF | S10H06RP | IPD50R280CE | WMP13N65EM | EMF02P02H | NDT6N70 | STV10NA40
History: IRLU3714PBF | S10H06RP | IPD50R280CE | WMP13N65EM | EMF02P02H | NDT6N70 | STV10NA40
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor