Справочник MOSFET. HPD026N02STA

 

HPD026N02STA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HPD026N02STA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для HPD026N02STA

 

 

HPD026N02STA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  cn haohai electr
 hpd026n02sta.pdf

HPD026N02STA HPD026N02STA

HAOHAI ELECTRONICS HPD026N02STAProduct Summary110A, 20VVDSV20N-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.2.6 mFeaturesAdvanced process technologyUltra low On-ResistanceID110 A175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-FreeD1.GateDGSDPAKTO-2523.SourceORDERING INFORMATIONPin AssignmentPackingOrder

 9.1. Size:1193K  cn haohai electr
 hpd025n03sta.pdf

HPD026N02STA HPD026N02STA

HPD025N03STAProduct Summary30V, 180AN-CHANNEL POWER MOSFETVDS30 VFeaturesR Max.2.5 m DS(ON)RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZXMS6005SG | ZXMP6A16DN8

 

 
Back to Top