HPD026N02STA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HPD026N02STA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HPD026N02STA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HPD026N02STA даташит
hpd026n02sta.pdf
HAOHAI ELECTRONICS HPD026N02STA Product Summary 110A, 20V VDS V 20 N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 2.6 m Features Advanced process technology Ultra low On-Resistance ID 110 A 175 OperatingTemperature Fast Switching 2.Drain RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free D 1.Gate D G S DPAK TO-252 3.Source ORDERING INFORMATION Pin Assignment Packing Order
hpd025n03sta.pdf
HPD025N03STA Product Summary 30V, 180A N-CHANNEL POWER MOSFET VDS 30 V Features R Max. 2.5 m DS(ON) RDS(ON)
Другие MOSFET... HLML6401 , HMDN3010D , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , IRF640 , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA .
History: APT56M50B2
History: APT56M50B2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor