HPD160N06STA Todos los transistores

 

HPD160N06STA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HPD160N06STA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HPD160N06STA datasheet

 ..1. Size:424K  cn haohai electr
 hpd160n06sta.pdf pdf_icon

HPD160N06STA

HAOHAI ELECTRONICS HPD160N06STA Product Summary 50A, 60V VDS 60 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 16 m Features Advanced process technology ID 50 A Ultra low On-Resistance 150 Operating Temperature Fast Switching 2.Drain Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free D Mechanical Data Case TO-252 Case Material Molded Plastic Green Molding 1.

Otros transistores... HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , IRF640N , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 .

History: MDIS2N60TH | BLF7G20L-250P

 

 

 

 

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