HPD160N06STA - описание и поиск аналогов

 

HPD160N06STA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HPD160N06STA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HPD160N06STA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPD160N06STA даташит

 ..1. Size:424K  cn haohai electr
 hpd160n06sta.pdf pdf_icon

HPD160N06STA

HAOHAI ELECTRONICS HPD160N06STA Product Summary 50A, 60V VDS 60 V N-CHANNEL POWER MOSFET RDS(ON) Max. 16 m Features Advanced process technology ID 50 A Ultra low On-Resistance 150 Operating Temperature Fast Switching 2.Drain Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free D Mechanical Data Case TO-252 Case Material Molded Plastic Green Molding 1.

Другие MOSFET... HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , IRF640N , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.