Справочник MOSFET. HPD160N06STA

 

HPD160N06STA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HPD160N06STA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HPD160N06STA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPD160N06STA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  cn haohai electr
 hpd160n06sta.pdf pdf_icon

HPD160N06STA

HAOHAI ELECTRONICS HPD160N06STAProduct Summary50A, 60VVDS60 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.16 m FeaturesAdvanced process technologyID50 AUltra low On-Resistance150 Operating TemperatureFast Switching2.DrainRepetitive Avalanche Allowed up to TjmaxLead-Free D Mechanical DataCaseTO-252Case MaterialMolded PlasticGreenMolding1.

Другие MOSFET... HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , IRF630 , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 .

 

 
Back to Top

 


 
.