HPD180PNE1DTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HPD180PNE1DTA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HPD180PNE1DTA

HPD180PNE1DTA Datasheet (PDF)

..1. Size:159K cn haohai electr
hpd180pne1dta.pdf

HAOHAI ELECTRONICS HPD180PNE1DTAProduct Summary45A, 20V & -30A, -15VN+P CHANNEL MOSFETSymbol N P UnitFeaturesAdvanced process technology V20 -15 VDSUltra low On-Resistance150 Operating TemperatureR typ8 15 mDS(on) Fast SwitchingRepetitive Avalanche Allowed up to TjmaxI45 -30 ADLead-FreeD1 / D2D1/D2PackageTO-252-4PinG1 G2G2S2G1S1S

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: