HPD180PNE1DTA Todos los transistores

 

HPD180PNE1DTA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HPD180PNE1DTA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 15 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO-252-4

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HPD180PNE1DTA datasheet

 ..1. Size:159K  cn haohai electr
 hpd180pne1dta.pdf pdf_icon

HPD180PNE1DTA

HAOHAI ELECTRONICS HPD180PNE1DTA Product Summary 45A, 20V & -30A, -15V N+P CHANNEL MOSFET Symbol N P Unit Features Advanced process technology V 20 -15 V DS Ultra low On-Resistance 150 Operating Temperature R typ 8 15 m DS(on) Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax I 45 -30 A D Lead-Free D1 / D2 D1/D2 Package TO-252-4Pin G1 G2 G2 S2 G1 S1 S

Otros transistores... HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , IRFP260N , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 .

 

 

 

 

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