HPD180PNE1DTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPD180PNE1DTA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252-4
Búsqueda de reemplazo de HPD180PNE1DTA MOSFET
HPD180PNE1DTA Datasheet (PDF)
hpd180pne1dta.pdf

HAOHAI ELECTRONICS HPD180PNE1DTAProduct Summary45A, 20V & -30A, -15VN+P CHANNEL MOSFETSymbol N P UnitFeaturesAdvanced process technology V20 -15 VDSUltra low On-Resistance150 Operating TemperatureR typ8 15 mDS(on) Fast SwitchingRepetitive Avalanche Allowed up to TjmaxI45 -30 ADLead-FreeD1 / D2D1/D2PackageTO-252-4PinG1 G2G2S2G1S1S
Otros transistores... HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , 10N60 , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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