HPD180PNE1DTA Todos los transistores

 

HPD180PNE1DTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HPD180PNE1DTA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-4
 

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HPD180PNE1DTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  cn haohai electr
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HPD180PNE1DTA

HAOHAI ELECTRONICS HPD180PNE1DTAProduct Summary45A, 20V & -30A, -15VN+P CHANNEL MOSFETSymbol N P UnitFeaturesAdvanced process technology V20 -15 VDSUltra low On-Resistance150 Operating TemperatureR typ8 15 mDS(on) Fast SwitchingRepetitive Avalanche Allowed up to TjmaxI45 -30 ADLead-FreeD1 / D2D1/D2PackageTO-252-4PinG1 G2G2S2G1S1S

Otros transistores... HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , 10N60 , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 .

 

 
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