Справочник MOSFET. HPD180PNE1DTA

 

HPD180PNE1DTA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HPD180PNE1DTA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4

 Аналог (замена) для HPD180PNE1DTA

 

 

HPD180PNE1DTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  cn haohai electr
 hpd180pne1dta.pdf

HPD180PNE1DTA HPD180PNE1DTA

HAOHAI ELECTRONICS HPD180PNE1DTAProduct Summary45A, 20V & -30A, -15VN+P CHANNEL MOSFETSymbol N P UnitFeaturesAdvanced process technology V20 -15 VDSUltra low On-Resistance150 Operating TemperatureR typ8 15 mDS(on) Fast SwitchingRepetitive Avalanche Allowed up to TjmaxI45 -30 ADLead-FreeD1 / D2D1/D2PackageTO-252-4PinG1 G2G2S2G1S1S

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top