HPD180PNE1DTA - описание и поиск аналогов

 

HPD180PNE1DTA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HPD180PNE1DTA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-252-4

Аналог (замена) для HPD180PNE1DTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPD180PNE1DTA даташит

 ..1. Size:159K  cn haohai electr
 hpd180pne1dta.pdf pdf_icon

HPD180PNE1DTA

HAOHAI ELECTRONICS HPD180PNE1DTA Product Summary 45A, 20V & -30A, -15V N+P CHANNEL MOSFET Symbol N P Unit Features Advanced process technology V 20 -15 V DS Ultra low On-Resistance 150 Operating Temperature R typ 8 15 m DS(on) Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax I 45 -30 A D Lead-Free D1 / D2 D1/D2 Package TO-252-4Pin G1 G2 G2 S2 G1 S1 S

Другие MOSFET... HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , IRFP260N , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , HPM2623 , HPM3401 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.